Falls Sie sich mit Ihrem iPhone X oder Samsung Galaxy S8 und beeindruckenden 256 GB Speicher besonders modern fühlen, aber dennoch mehr Platz benötigen, haben Sie Glück.
Samsung hat die Massenproduktion von 512-GB-eUFS-Chips (embedded Universal Flash Storage) gestartet. Diese sind speziell für Smartphones und Tablets der nächsten Generation entwickelt.
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Die innovativen 512-GB-Chips basieren auf acht gestapelten 64-Layer-512-Gb-V-NAND-Chips plus einem Controller. Sie bieten doppelt so viel Speicher wie im Galaxy S8, passen aber in Geräte gleicher Größe.
Lesen und Schreiben erreichen bis zu 860 MB/s bzw. 2550 MB/s – achtmal schneller als eine Standard-MicroSD-Karte.
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Samsungs neue proprietäre Technologie optimiert Schaltungsdesign für höchste Energieeffizienz und Leistung. Ein Smartphone mit diesem Chip speichert 130 zehnminütige 4K-UHD-Videos – genug für mehrere Spielfilme.
"Das neue Samsung 512 GB eUFS bietet die beste eingebettete Speicherlösung für Premium-Smartphones der nächsten Generation, indem es potenzielle Einschränkungen der Systemleistung überwindet, die bei der Verwendung von Micro-SD-Karten auftreten können", erklärt Jaesoo Han, Executive VP of Memory Sales Marketing bei Samsung Electronics.
"Indem Samsung eine frühe stabile Versorgung mit diesem fortschrittlichen eingebetteten Speicher sicherstellt, macht Samsung einen großen Schritt nach vorne, um zur rechtzeitigen Markteinführung von Mobilgeräten der nächsten Generation durch Mobiltelefonhersteller auf der ganzen Welt beizutragen."
Die Chips kommen in kommenden Flaggschiff-Smartphones zum Einsatz – etwa Galaxy-Modelle oder iPhones, da Samsung führender Speicherhersteller ist. Zukünftig also riesige Kapazitäten (und Preise).
Bild: Samsung